Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 200MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
9 731
|
5.32
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
15 817
|
3.51
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 200
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
3 068
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
14 800
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
61 964
|
1.84
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
24 800
|
2.23
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.21
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINICIR
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
|
|
1 040.00
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
|
|
40.56
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
MOTOROLA
|
15
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
MJE350 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки
|
MOTOROLA
|
1 110
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 328
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
|
217
|
85.75
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
598
|
104.00
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1171СП28 |
|
|
АЛЕКСАНДПОВ
|
|
|
|