| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
11
|
32.00
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
|
|
356.00
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD817AN |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
|
|
569.20
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
2 046
|
15.84
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
314
|
34.40
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
1 465
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
66.30
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
160
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
207
|
18.31
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
КРЕМНИЙ
|
4
|
61.20
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
|
60
|
22.88
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ837Е |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
15
|
33.22
|
|
Версия для печати
