Д-0.1-68
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C) |
|
|
|||
 |
1Т 308 В |
|
Транзисторы ВЧ малой мощности германиевые структуры p-n-p универсальные, для ... | RUS |
|
|
||
| EP10 BBN КАРКАС. | SHINHOM |
|
|
|||||
| EP10 BBN КАРКАС. | КИТАЙ |
|
|
|||||
| Д-0.1-25 |
|
14.40 | ||||||
| ДМ-0.1-100 | 4 | 5.23 | ||||||
| ДМ-0.1-100 | ОАО "ГЕОРГИЕВСКИЙ ТРАНСФОРМАТОРНЫЙ ЗАВОД" |
|
|
|||||
| ДМ-0.1-100 | "КЕЧАРК" Г.РАЗДАН |
|
|
