| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BT169D,112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BT169D,112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT169D,112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
WEEN
|
|
|
|
|
|
|
BT169D,112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 (ТО-220) |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
1
|
72.00
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
69
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
40
|
89.54
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
|
1
|
242.40
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
11
|
|
|
|
|
|
STP60NF06 |
|
N-канальный 60В, 60А, mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
VS-30CPQ150PBF |
|
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
VS-30CPQ150PBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
VS-30CPQ150PBF |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
