|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
74 725
|
1.08
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
77
|
1.84
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
9 642
|
2.50
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
14 768
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 375
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
6 187
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
1 115 841
|
1.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 916
|
1.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.94
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
12 424
|
1.43
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
14 103
|
2.01
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BYG20J |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
|
19
|
25.20
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
42.56
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
30
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4
|
35.42
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ON SEMICONDUCTOR
|
35
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
36
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
PHILIPS
|
5
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
|
136
|
32.40
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
FULIHAO TECH
|
544
|
12.79
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
1
|
72.00
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
69
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|