|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Д706АС9 | 9 672 | 95.68 | ||||||
| 2Д706АС9 | ДАЛЕКС |
|
|
|||||
| 2Д706АС9 | АЛЕКСАНДРОВ | 48 808 | 26.85 | |||||
|
|
2Д803АС9 | 4 800 | 95.68 | |||||
|
|
2Д803АС9 | АЛЕКСАНДРОВ | 9 046 | 44.75 | ||||
|
|
2Д803АС9 | ДАЛЕКС |
|
|
||||
| BH-24 (IDC-24MS) | 1 280 | 8.67 | ||||||
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | ST MICROELECTRONICS | 20 612 | 8.95 | |
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | 34 | 27.72 | ||
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | ST MICROELECTRONICS SEMI | 3 010 |
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | STMICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | Rohm Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | ST MICROELECTR |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | STMICROELECTR |
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель | 4-7 НЕДЕЛЬ | 674 |
|
|
| PBD2-10 (PBD2-2X5) 2.00 MM | 1 120 | 9.25 |