|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
8
|
32.00
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
|
|
26.96
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
|
|
63.80
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LF442CN |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 716
|
13.29
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
|
18 216
|
4.49
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HOTTECH
|
46 293
|
9.65
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
HTC
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
ZH
|
33 600
|
6.05
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
TL431 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A
|
YOUTAI
|
9 559
|
3.06
|
|