|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | CoolMOS™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22.9nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 580pF @ 25V |
Power - Max | 50W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | PG-TO220-3 |
SPP04N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1651 | 1 | 174.00 | ||||||
2SD1651 | UNKNOWN | |||||||
2SD1651 | SANYO | |||||||
2SD1651 | SAVANTIC | |||||||
2SD1651 | ISCSEMI | |||||||
2SD1651 | ||||||||
BYV42E-200 | NXP | |||||||
BYV42E-200 | 284.08 | |||||||
BYV42E-200 | NXP | 96 | ||||||
BYV42E-200 | PHILIPS | 60 | ||||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ON SEMICONDUCTOR | 52 | 33.15 | ||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | 19.48 | ||||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | UTC | ||||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | OTHER | 69 | |||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ONS | ||||||
MCR100-6 | Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | CJ | ||||||
R1206-1 КОМ-5% | Бескорпусной толстопленочный резистор 1кОм, 5%, 1206 | |||||||
TDA8359J | TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | NXP | ||||||
TDA8359J | TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | 126.68 | ||||||
TDA8359J | TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | МАЛАЙЗИЯ | ||||||
TDA8359J | TV/CRT кадpовая pазвеpтка BTL (68V, Ipp=3.2A) | PHILIPS |
|