MBR10100CT
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 100V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MBR10100CT (Диоды Шоттки) Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1145 |
|
Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SA1145 |
|
Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz |
|
28.56 | ||
|
|
|
2SA1145 |
|
Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz | TOS |
|
|
