1МКФ 100В (5X11,НЕПОЛЯРН.)
Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ, 100В, 85С
|
Конденсатор алюминиевый электролитический |
Версия для печати
| Номинальное напряжение | 100В |
| Емкость | 1 мкФ |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.25-220K 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.25-220K 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
1.12 >100 шт. 0.56 |
||||
| К73-9-3300ПФ 630В (5%) |
|
|
||||||
 |
 |
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 13 | 127.50 | ||
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | |
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | |
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 106 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 65 | 805.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 199 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
|
| С2-23-0.5-1К 5% |
|
1.20 >100 шт. 0.60 |
