|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
|
1
|
9.61
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
74AC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
1
|
|
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
|
|
24.32
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74AC14N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
КТ342В |
|
|
|
48
|
117.92
|
|
|
|
КТ342В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ342В |
|
|
|
48
|
117.92
|
|
|
|
КТ342В |
|
|
АЛЕКСАНДР
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
13
|
19.20
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|