| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
1 280
|
74.78
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
|
|
307.40
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
180
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
216
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA
|
15 120
|
2.95
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MUR
|
37 166
|
1.22
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
|
|
4.52
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
|
|
16.84
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MUR
|
14 275
|
5.21
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ONS
|
4 800
|
7.87
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 988
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
|
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ONSEMI
|
28 312
|
2.16
|
|
Версия для печати
