SQP 5W 0.2 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR2104	Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2104	Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс			112.80
IR2104	Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ФИЛИППИНЫ
IR2104	Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
IRFZ44E	Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	102.00
IRFZ44E	Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W			105.20
IRFZ44E	Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ44E	Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	МЕКСИКА
IRFZ44E	Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W	INFINEON
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	400	43.35
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	7
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 178	14.28