PUMH10

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PUMH10 (NXP.)	33	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PUMH10

Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	300mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-88

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PUMH10 (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN / NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PUMH10 datasheet
56.55Kb
8стр.