BD433
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 22V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 36W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-126-3 |
| Корпус | TO-126 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 640 | 28.00 | ||
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 674 | 35.70 | |
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | БРЯНСК | 1 154 | 32.00 | |
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 48 | 36.40 | |
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМН |
|
|
