К50-29-63В-220МКФ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 153УД2А | 3 | 632.40 | ||||||
| 153УД2А | РИГА |
|
|
|||||
 |
2Т203Д | 395 | 191.30 | |||||
|
|
2Т203Д | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
2Т203Д | RUS |
|
|
||||
|
|
2Т203Д | КРИПТЕХНО |
|
|
||||
 |
 |
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | 84 | 651.00 | ||
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | ИНТЕГРАЛ | 1 309 |
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц | АЛЬФА РИГА |
|
|
|
| 521СА3 |
|
1 359.36 | ||||||
| 521СА3 | МИКРОН |
|
|
|||||
| 521СА3 | РИГА |
|
|
|||||
| 521СА3 | АЛЬФА РИГА |
|
|
|||||
| 521СА3 | ВОСХОД |
|
|
|||||
| 521СА3 | КАЛУГА |
|
|
|||||
| Д106А | 2 078 | 3.72 | ||||||
| Д106А | ХЕРСОН |
|
|
|||||
| Д106А | 1 |
|
|
