HGTG12N60A4D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HGTG12N60A4D		973.64

Версия для печати

Технические характеристики HGTG12N60A4D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector (Ic) (Max)	54A
Power - Max	167W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор IGBT, N-канал, SMPS, 600В, 54A

HGTG12N60A4D datasheet
173,25kB

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR2156SPBF	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2156SPBF	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	INFINEON
IR2156SPBF	Балласт электронный и полумостовой драйвер.
IRFB52N15D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB52N15D	Hexfet power mosfets discrete n-channel		1	453.60
IRFB52N15D	Hexfet power mosfets discrete n-channel		1	453.60
IRFB52N15D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INFINEON
IRFB52N15D	Hexfet power mosfets discrete n-channel	1
IRGB20B60PD1PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PBF		INFINEON
LM2596S-5.0/NOPB
STP80NF10	Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)	ST MICROELECTRONICS
STP80NF10	Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP80NF10	Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)	STMicroelectronics
STP80NF10	Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)
STP80NF10	Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.015R)	КИТАЙ