|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
40
|
24.57
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
|
8
|
68.04
|
|
|
|
2SC2655Y |
|
|
TOSHIBA
|
64
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
|
397
|
16.80
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ФРЯЗИНО
|
44 783
|
16.80
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
MEY
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
563
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
MEV
|
433
|
21.00
|
|
|
|
TNY268G |
|
|
|
|
108.00
|
|
|
|
TNY268G |
|
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY268G |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY268G |
|
|
POWER INTEGRATIONS
|
36
|
|
|
|
|
TNY268G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
327
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
49.14
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
|
5
|
183.15
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
694
|
|
|