Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP4525GEH | Сдвоенный P и N-канальный транзистор | APEC | ||||||
AP4525GEH | Сдвоенный P и N-канальный транзистор | 284.80 | ||||||
AP4525GEH | Сдвоенный P и N-канальный транзистор | КИТАЙ | ||||||
AP4525GEH | Сдвоенный P и N-канальный транзистор | ADVANCED POWER | ||||||
ICE3BS02 | INFINEON | |||||||
ICE3BS02 | ||||||||
ICE3BS02 | Infineon Technologies | |||||||
ICE3BS02 | США | |||||||
ICE3BS02 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА | |||||||
ICE3BS02 | 1 | |||||||
ICE3BS02L | INFINEON | |||||||
ICE3BS02L | ||||||||
ICE3BS02L | Infineon Technologies | |||||||
К157УД1 | Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ... | 92 | 32.40 | |||||
К157УД1 | Микросхема операционный усилитель средней мощности с выходным током до 0,3 А без ... | ПОЛЯРОН | 2 634 | 14.00 | ||||
КП303Д | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | 1 009 | 40.80 | |||||
КП303Д | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | ФОТОН | 2 681 | 20.00 | ||||
КП303Д | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|