PHB45NQ10T.118
|
Версия для печати
| Производитель | NXP |
| Вес | 2.500 г |
| Тип канала | N |
| Максимальное рабочее напряжение | 100 В |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 25мОм @ 10В |
| Voltage - Test | 25мОм @ 10В |
| Пороговое напряжение | 47 А |
| Заряд затвора | 61 нК |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Корпус (размер) | D2PAK |
| N-channel TrenchMOS transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
