|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 21A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V |
Power - Max | 144W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB4615PbF (MOSFET) 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUD25N15-52 | N-channel 150v (d-s) 175°c mosfet | SILICONIX | ||||||
SUD25N15-52 | N-channel 150v (d-s) 175°c mosfet | SILICONIX | ||||||
SUD25N15-52 | N-channel 150v (d-s) 175°c mosfet | 4 216 | 1.70 | |||||
SUD25N15-52 | N-channel 150v (d-s) 175°c mosfet | VISHAY | ||||||
SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay/Siliconix | |||||||
SUM90N10-8M2P-E3 | VISHAY | |||||||
SUM90N10-8M2P-E3 | ||||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | MICRO CHIP | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | 277.40 | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | MICRO CHIP | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | Microchip Technology | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
UCC27524D | TEXAS INSTRUMENTS | 24 | 94.46 | |||||
UCC27524D | ||||||||
UCC27524D | TEXAS | |||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | 3 | 193.60 | |||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMEN | ||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS |
|