BC637


Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz

Купить BC637 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC637
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC637 (OTHER.) 633 3-4 недели
Цена по запросу
BC637 (PHILIPS.) 8 960 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC637

КорпусTO-92-3
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажаВыводной
Frequency - Transition100MHz
Power - Max1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Transistor TypeNPN
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC635

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

Также в этом файле: BC637

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC637 datasheet
130.1Kb
5стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   КРЕМНИЙ 266 16.83 
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...     416 11.38 
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   БРЯНСК 5 931 15.20 
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503Г Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...   ЭЛЕКС 608 28.54 

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    0402-X5R-10UF 10% 4V Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0402-X5R-10UF 10% 4V Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В     Заказ радиодеталей 22.00 
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   DC COMPONENTS 5 846 3.16 
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35     Заказ радиодеталей 12.24 
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   NXP 15 цена радиодетали
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAT85 Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35   PHILIPS 21 389 цена радиодетали
  BF959 Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BF959 Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА   CONTINENTAL DEVICE INDIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BF959 Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА     Заказ радиодеталей 20.76 
  BF959 Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА   ON SEMICONDUCTOR 3 344 цена радиодетали
    LGA0410 680UH 10%     CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LGA0410 680UH 10%       Заказ радиодеталей 3.56 
    LGB0606 10UH 10%     CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LGB0606 10UH 10%       Заказ радиодеталей 7.84 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход