|
Корпус | TO-92-3 |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 100MHz |
Power - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
BC635 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) Также в этом файле: BC637
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0402-X5R-10UF 10% 4V | Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В | MURATA | ||||||
0402-X5R-10UF 10% 4V | Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В | 22.00 | ||||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | NXP | ||||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | PHILIPS | ||||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | DC COMPONENTS | 5 846 | 3.16 | ||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | 12.24 | ||||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | NXP | 15 | |||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | OTHER | ||||||
BAT85 | Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35 | PHILIPS | 21 389 | |||||
BF959 | Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
BF959 | Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА | CONTINENTAL DEVICE INDIA | ||||||
BF959 | Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА | 20.76 | ||||||
BF959 | Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА | ON SEMICONDUCTOR | 3 344 | |||||
LGA0410 680UH 10% | CHINA | |||||||
LGA0410 680UH 10% | 3.56 | |||||||
LGB0606 10UH 10% | CHINA | |||||||
LGB0606 10UH 10% | 7.84 |
|