LM2931AD2T-5.0G

Версия для печати

Технические характеристики LM2931AD2T-5.0G

Производитель	ON Semiconductor Corporation
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.248 г
Тип стабилизатора	LDO
Тип выхода	Fixed
Входное напряжение	5.16…40 В
Выходное напряжение	5В @ 0.1А
Точность	2 %
Падение напряжения (тип.)	160 мВ
Корпус (размер)	D2PAK-3
Рабочая температура	-40...125 °C
	100 mA, 5 V, Low Dropout Voltage Regulator wi

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL	2 032	300.00
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...		267	422.28
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	ATMEL CORPORATION
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	США
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP	68	1 180.80
ATTINY2313-20SU	8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...	MICRO CHIP
BYW95B		NXP
BYW95B		EIC
BYW95B				45.40
BYW95B		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
BYW95B		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BYW95B		NEC
BYW95B		PHILIPS
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER	266	127.50
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А		16	115.20
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	КИТАЙ
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INFINEON
IRF9540N	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	1
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max	PWR
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max	POWER INTEGRATIONS
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max			376.60
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max	PHILIPS
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max	PI
TOP225Y	SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V, Pout=100W max	POWER INTEGRATION	80	311.10
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	1 093	240.00
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		5	180.00
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ
КЦ407А	Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР