| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
TRIMMER
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-473 |
|
Подстроечный резистор 47K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
|
Д814Б1 |
|
стекло
|
|
77 140
|
1.76
|
|
|
|
|
Д814Б1 |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д814Б1 |
|
стекло
|
ОРБИТА
|
1 509
|
1.36
|
|
|
|
 |
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
712
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
1 450
|
30.00
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
1 076
|
27.12
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 607
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
|
5 277
|
22.88
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ЗОНД
|
62
|
20.00
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
СЗТП
|
8
|
81.60
|
|
Версия для печати
