IRGS6B60KD
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRGS6B60KD |
 |
338.96
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRGS6B60KD
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13A |
| Power - Max | 90W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRGB6B60KD
Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Также в этом файле:
IRGS6B60KD
Производитель:
International Rectifier
|
