RD02MUS1-T112

Версия для печати

Технические характеристики RD02MUS1-T112

Производитель	MITSUBISHI ELECTRONIC CORP.
Количество в упаковке	2000 шт.
Вес	0.310 г
Тип канала	N
Максимальное рабочее напряжение	30 В
Пороговое напряжение	1.5 А
Рассеиваемая мощность	21.9 Вт
Voltage - UL	20 В
Рабочая температура	-40...125 °C
Температура хранения	-40...125 °C
	RoHS Compliance,Silicon MOSFET Power Transist

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HCU04D		NXP
74HCU04D		PHILIPS
74HCU04D		NXP
74HCU04D		PHILIPS	349
74HCU04D				68.76
74HCU04D		NEX-NXP
AD1871YRS	Стерео Аудио сигма-дельта АЦП, 24бит, Uп=5В, Mil	ANALOG DEVICES
AD1871YRS	Стерео Аудио сигма-дельта АЦП, 24бит, Uп=5В, Mil
AD1871YRS	Стерео Аудио сигма-дельта АЦП, 24бит, Uп=5В, Mil	ANALOG DEVICES	19
L78L33ABD-TR		ST MICROELECTRONICS	1	18.63
L78L33ABD-TR		STMicroelectronics	2	13.87
L78L33ABD-TR		ST MICROELECTRONICS SEMI	203
L78L33ABD-TR			1 840	15.24
L78L33ABD-TR		0.00
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		3	152.40
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	29
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
LM1117DT-1.8	ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS	20	150.00
TMS320F2801PZA		TEXAS INSTRUMENTS	1	787.19
TMS320F2801PZA		TEXAS
TMS320F2801PZA
TMS320F2801PZA		ФИЛИППИНЫ