Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MIC
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	FSC
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD	1 783
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR	2 158
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA	847
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIODES INC.	1 910
		1N4006		Диод 1А, 800В	Fairchild Semiconductor
		1N4006		Диод 1А, 800В	Micro Commercial Co
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICROSEMI CORP
		1N4006		Диод 1А, 800В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4006		Диод 1А, 800В	КИТАЙ
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIOTEC
		1N4006		Диод 1А, 800В		277	4.80
		1N4006		Диод 1А, 800В	DC COMPONENTS	22 847	1.30
		1N4006		Диод 1А, 800В	MD
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS-FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MASTER INSTRUMENT	532	6.12
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	4 495	5.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	10 214	2.91
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 002	1.13
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	5 099	1.93
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	19 200	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB	NXP
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB			89.40
		BT152-800R		Тиристор 20A 800В	NXP
		BT152-800R		Тиристор 20A 800В		24	129.60
		BT152-800R		Тиристор 20A 800В	ФИЛИППИНЫ
		BT152-800R		Тиристор 20A 800В	1
		S14K510		110Дж. 510В	JOYIN
		S14K510		110Дж. 510В	EPCOS
		S14K510		110Дж. 510В			31.24
		S14K510		110Дж. 510В	EPCOS Inc
		S14K510		110Дж. 510В	TDK (EPCOS)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"