SI1029X
Complementary n- and p-channel 60-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики SI1029X
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 305mA, 190mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1029X (MOSFET)
Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
