STS8C5H30L


N-channel 30v - 0.018 ? - 8a/p-channel 30v - 0.045 ? - 5a - so-8 low gate charge stripfet™ iii mosfet

Купить STS8C5H30L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STS8C5H30L
Версия для печати

Технические характеристики STS8C5H30L

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A, 5.4A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds857pF @ 25V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS8C5H30L (N+P)

N-channel 30V - 0.018 ? - 8A/p-channel 30V - 0.045 ? - 5A - SO-8 Low gate charge STripFET™ III MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS8C5H30L datasheet
427.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход