STS6NF20V

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS6NF20V	55	70.40

Версия для печати

Технические характеристики STS6NF20V

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	460pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS6NF20V (MOSFET)

N-CHANNEL 20V - 0.030 W - 6A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STS6NF20V datasheet
258 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
VIPER17LN	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 800V, 0,4A, 22Om	ST MICROELECTRONICS	812	71.12
VIPER17LN	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 800V, 0,4A, 22Om	STMicroelectronics
VIPER17LN	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 800V, 0,4A, 22Om		2	223.20
VIPER17LN	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 800V, 0,4A, 22Om	ST1
VIPER17LN	ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 800V, 0,4A, 22Om	1