RFD14N05
N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RFD14N05 (MOSFET) N-Channel Power MOSFETs
Производитель:
|
