PSMN015-100B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN015-100B (PHILIPS.)	11	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN015-100B

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4900pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN015-100B (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PSMN015-100B datasheet
101.4 Кб