PHP33NQ20T

Версия для печати

Технические характеристики PHP33NQ20T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1870pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHP33NQ20T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PHP33NQ20T datasheet
84.7 Кб