PHP152NQ03LTA

Версия для печати

Технические характеристики PHP152NQ03LTA

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3140pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHP152NQ03LTA (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHP152NQ03LTA datasheet
83.8 Кб