PHB9NQ20T
N-канальный trenchmos™ транзистор
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 200 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 300 |
| ID,А | 8.7 |
| PWT,Вт | 88 |
| Корпус | D2-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PHB9NQ20T (MOSFET) N-канальный TrenchMOS™ транзистор
Производитель:
|
