PDTD123YS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTD123YS (NXP.)	5 000	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTD123YS

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD123Y (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 10 k

Также в этом файле: PDTD123YS

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD123YS datasheet
69.73Kb
10стр.