PDTD113EK

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTD113EK (PHILIPS.)	14 000	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTD113EK

Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	1K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SMT3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD113E (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k, R2 = 1 k

Также в этом файле: PDTD113EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD113EK datasheet
69.34Kb
10стр.