PDTA123TT
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTA123T (Универсальные биполярные NPN транзисторы) PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = open Также в этом файле: PDTA123TT
Производитель:
|
