PDTA123JE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTA123JE (NXP.)	8 501	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTA123JE

Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75, SOT-416
Корпус	SOT-416

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC123J

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k

Также в этом файле: PDTA123JE, PDTA123JEF

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTA123JE datasheet
91.22Kb
14стр.