PDTA123EK

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTA123EK (NXP.)	513	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTA123EK

Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SMT3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA123E (Биполярные транзисторы)

PNP resistor-equipped transistors

Также в этом файле: PDTA123EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTA123EK datasheet
102.49Kb
14стр.