PBSS4240DPN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4240DPN (PHILIPS.)	250	3-4 недели Цена по запросу
PBSS4240DPN (NXP.)	96	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4240DPN

Transistor Type	NPN, PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)	1.35A, 1.1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 200mA, 2A / 530mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Power - Max	1.1W
Frequency - Transition	150MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBSS4240DPN

40V Low Vcesat Npn / pnp Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBSS4240DPN datasheet
110.54Kb
12стр.