NTMD2C02R2


Купить NTMD2C02R2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMD2C02R2
Версия для печати

Технические характеристики NTMD2C02R2

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs43 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.2A, 3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1100pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
Product Change NotificationLTB Notification 08/Jan/2008 Wire Change 20/Aug/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMD2C02R2

Power Mosfet 2 Amps, 20 Volts

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NTMD2C02R2 datasheet
120.46Kb
16стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход