NSBC114EDXV6T1G


Купить NSBC114EDXV6T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSBC114EDXV6T1G
Версия для печати

Технические характеристики NSBC114EDXV6T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max500mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-563
КорпусSOT-563
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NSBC114EDXV6T1 (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

Также в этом файле: NSBC114EDXV6T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NSBC114EDXV6T1G datasheet
93.5Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход