MBT3904DW1T1
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 150mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Wire Change 08/Jun |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MBT3904DW1T1 Dual General Purpose Transistors Также в этом файле: MBT3904DW1T1G
Производитель:
|
