FQPF13N50C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF13N50C		583.20

Версия для печати

Технические характеристики FQPF13N50C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2055pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP13N50C

500V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF13N50C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF13N50C datasheet
873.85Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI ELECTRIC	80	230.58
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJITSU
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W		1	277.50
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI	67	338.61
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	КИТАЙ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	ISCSEMI
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	INCHANGE	120	185.98
FGH60N60SFDTU		Fairchild Semiconductor
FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU		FAIR
FGH60N60SFDTU		FAIRCHILD
FGH60N60SFDTU		FSC
FGH60N60SFDTU		FAIRCHILD
FGH60N60SFDTU		ONS	93	660.37
FGH60N60SFDTU		ONS-FAIR
KNP100JR-73-0R27		Yageo	11 880	1.63
KNP100JR-73-0R27
PS223		SITI
SG6841SZ
SG6841SZ		SGC
SG6841SZ		Fairchild Semiconductor