FQA16N50
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP 1000/16V 1015 105C SH |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| ECAP 470/16V 0815 105C SJ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| LD1117ADT18TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LD1117ADT18TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 75 |
|
|||||
| LD1117ADT18TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117ADT18TR |
|
|
||||||
| LD1117ADT33TR | ST MICROELECTRONICS | 3 | 31.49 | |||||
| LD1117ADT33TR |
|
|
||||||
| LD1117ADT33TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117ADT33TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| SC2602S | SEMTECH |
|
|
|||||
| SC2602S | SEMTECH |
|
|
|||||
| SC2602S |
|
|
