BSN20
N-channel enhancement mode field-effect transistor
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 100mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 173mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSN20 (MOSFET) N-channel enhancement mode field-effect transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.47UF/50V Y5V | 15 200 | 1.32 | ||||||
 |
 |
ASVTX-09-12.800MHZ-T |
|
Abracon Corporation |
|
|
||
|
|
|
ASVTX-09-12.800MHZ-T |
|
|
|
|||
| CR0805-JW-151ELF0805-150J | BOURNS |
|
|
|||||
| CR0805-JW-151ELF0805-150J | 0.00 |
|
|
|||||
| DIP28-S-M | NELTON |
|
|
|||||
| DIP28-S-M | NELTRON |
|
|
|||||
| DIP28-S-M | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| TSOP4856 | VISHAY | 960 | 101.41 | |||||
| TSOP4856 |
|
|
