BFG541
NPN 9GHz
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| Power - Max | 650mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 40mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAR63-03W |
|
PBF PIN 50V 100mA SOD323 | FAIR |
|
|
||
|
|
BAR63-03W |
|
PBF PIN 50V 100mA SOD323 | INFINEON | 8 | 33.15 | ||
|
|
BAR63-03W |
|
PBF PIN 50V 100mA SOD323 |
|
14.40 | |||
|
|
BAR63-03W |
|
PBF PIN 50V 100mA SOD323 | INFINEON TECH |
|
|
||
| NX1117C12Z | NXP |
|
|
|||||
| NX1117C12Z |
|
|
||||||
| STM32L151RBT6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32L151RBT6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32L151RBT6 |
|
|
||||||
| STM32L151RBT6 | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|||||
| STM32L151RBT6 | УДАЛЕНО |
|
|
|||||
| STM32L151RBT6 | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| STM32L151RBT6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| SYM-18H+ | MINICIR |
|
|
|||||
| SYM-18H+ |
|
|
||||||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEMET | 752 | 45.26 | |||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В |
|
10.56 | ||||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEMET |
|
|
|||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | МЕКСИКА |
|
|
|||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEM |
|
|
