Версия для печати
Технические характеристики BCP53

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD2125		Биполярный транзистор	TOSHIBA
		2SD2125		Биполярный транзистор		4	207.68
		2SD2125		Биполярный транзистор	TOS
		2SD2125		Биполярный транзистор	МАЛАЙЗИЯ
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	FAIR
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	PHILIPS
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт		133	18.00
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	NXP
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	FAIRCHILD
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	FAIRCHILD
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	NXP	457
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	PHILIPS	92
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	Fairchild Semiconductor
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	NEX-NXP
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	JCET
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	YJ	95 104	5.87
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	1
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	KEFAN	2 397	3.59
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	JSCJ	90 805	5.77
		BCP56		Транзистор биполярный 100В, 1А, 130МГц, 1,5Вт	SHIKUES
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	VISHAY
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONS
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A		2	55.20
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR1100ERLG		Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTO
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	MICRO CHIP	8	821.10
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C			501.28
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	Microchip Technology
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F84A-20I/P		1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		5 721	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	8 819	40.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 000	79.70
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"