Версия для печати
Технические характеристики 2N5460

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1mA @ 15V
FET Type	P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	40V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	750mV @ 1µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7pF @ 15V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Power - Max	350mW

2N5460 P-Channel JFETs Производитель: Vishay //www.vishay.com 2N5460 datasheet 44.04Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые с p-n-переходом)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ON SEMICONDUCTOR
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ONS
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	CJ	398	11.84
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)		1	24.00
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA	252
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	568
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	МИНСК
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	STMICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	1
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)			8.68
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	FAIR
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	ONS-FAIR
		BZX85C10		Стабилитрон универсальный (Vz=9.410.6V (10V nom)@Iz=25 mA, tol=5%)	ONS	37	4.73
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20			93.04
		MJE15030		Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20	ISC
		MJE15031		Транзистор биполярный большой мощности PNP 150V 8A 50W B>20	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15031		Транзистор биполярный большой мощности PNP 150V 8A 50W B>20			99.80
		MJE15031		Транзистор биполярный большой мощности PNP 150V 8A 50W B>20	ON SEMICONDUCTOR	29

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"